JAV Patentų tarnyba oficialiai atskleidė dar 2010 vasario 25 dieną įregistruotą „Apple“ patentą, kurioje aprašomas metodas NAND tipo „flash“ atmintyje saugomam atminties ląstelių skaičiui keisti.

Išradimo tikslas yra subalansuoti duomenims saugoti skirtą atminties erdvę, tarpusavyje suderinant našumo, patikimumo ir vietos parametrus. „Apple“ teigimu, ši technologija leistų vienu metu naudoti MLC (angl. multi–level cell) ir SLC (angl. single–level cell) technologijas.

Šiuo metu SLC tipo „flash“ atmintis užtikrina didesnį patikimumą ir našumą, tuo metu MLC leidžia pagaminti didesnės talpos atmintines.

Idėja nėra visiškai nauja ir primena 2009 metais „Usenix“ konferencijoje „Samsung“ pristatytą straipsnį. Tuo metu šios kompanijos inžinieriai apibūdino savo „FlexFS“ (angl. flexible flash file system) sistemą, kurią galima naudoti gaminant MLC NAND tipo „flash“ atmintį ir kuri leidžia „panaudoti dinaminio atminties perderinimo privalumus“. Kaip ir „Apple“ siūloma idėja, „FlexFS“ atminties erdvę suskaido į MLC ir SLC sritis ir geba keisti šių sričių dydį atsižvelgiant į sistemos reikalavimus. Lieka tik laukti, ar šis patentas neįžiebs naujų nesutarimų tarp ilgai kariaujančių kompanijų.