Magnetinės atminties mikroschemos – vienos iš realiausių kandidačių pakeisti „Flash“ atmintį mobiliuosiuose telefonuose ir delninukuose, bus parengtos komerciniam naudojimui jau 2005 metais, teigia kompanijos IBM ir „Infenion“.

Magnetinės atminties mikroschemos – vienos iš realiausių kandidačių pakeisti „Flash“ atmintį mobiliuosiuose telefonuose ir delninukuose, bus parengtos komerciniam naudojimui jau 2005 metais, teigia kompanijos IBM ir „Infenion“. Magnetinė atmintis (Magnetic Random Access Memory, MRAM) derina magnetinio įrašymo (naudojamo kietuosiuose diskuose) principą su mikroschemų gamybos principais. MRAM atveju magnetinis laukas sukuriamas kristalo atminties ląstelėje. Kad nustatytų, kas įrašyta ląstelėje – „0“ ar „1“, kompiuteris matuoja magnetinio lauko sukurtą varžą. Mobiliuosiuose telefonuose dabar naudojamos „Flash“ atminties veikimas irgi pagrįstas varžos lygio matavimu, tačiau perjungimui tarp „1“ ir „0“ reikia nemažai energijos. MRAM veiks greičiau ir sunaudos mažiau energijos, teigia jos sumanytojai. IBM rengiasi pirmas bandomąsias MRAM partijas pateikti įrenginių gamintojams jau kitąmet. Iš principo masinę MRAM gamybą kompanija teigia galinti pradėti 2005 metais, tačiau dar nieko neplanuoja, kol nėra aiški tokių atminties mikroschemų paklausa.