Naudojant 60 nanometrų technologiją, „Samsung“ sukūrė 2Gb flash atminties įrenginį, kuris yra dvigubai pajėgesnis nei iki šiol pristatytos „OneNAND“ atminties mikroschemos.

2006 m. birželio 27 d., Seule (Korėja) skaitmeninių atminties technologijų lyderė „Samsung Electronics“ sukūrė dar greitesnę ir pajėgesnę sparčiausios pasaulyje atminties mikroschemos „OneNAND^TM“  versiją. Gaminant naująsias 2 Gb atminties mikroschemas panaudota 60 nanometrų technologija. (1 nanometras yra lygus vienai milijardinei metro daliai).

Iki šiol galingiausios rinkoje buvo 1 Gb „OneNAND“ atminties mikroschemos, todėl naujoji 2 Gb „OneNAND“ mikroschema yra dvigubai spartesnė – duomenų įrašymo greitis padidėja nuo 9.3 mega bitų iki 17 mega bitų per sekundę.

„Rinkoje matome dideles OneNAND atminties įrenginių perspektyvas. Panaudojus 60 nm technologijas šių įrenginių pajėgumas dar labiau išaugo, todėl manome, jog išaugs ir jų poreikis“, – sako „Samsung“ puslaidininkių verslo marketingo direktorius Don Barnetson.

Dėl spartaus „NOR flash“ atminties įrenginių duomenų skaitymo greičio ir „NAND flash“ pajėgumų bei greito duomenų įrašymo, „OneNAND“ atminties pritaikymas yra itin platus – nuo telefonų, iki skaitmeninių kamerų, mobilių atminties kortelių, personalinių kompiuterių, skaitmeninių televizorių.    

Duomenų apdorojimo greitis dar labiau išauga sujungus keletą mikroschemų į vieną sistemą, – kuo daugiau mikroschemų sujungiama tarpusavyje, tuo didesni duomenų srautai gali būti apdorojami. Pavyzdžiui, tarpusavyje sujungus aštuonias 2 Gb atminties korteles, „OneNAND“ mikroschemos duomenų įrašymo greitis padidėja iki 136 megabitų per sekundę.

„OneNAND“ atmintis gali būtų naudojama ne tik kaip operatyvioji atmintis (buffer memory) duomenų įrašymui į sistemą, bet ir kaip operatyvi atmintis (buffer memory) duomenų nuskaitymo procesuose.

„OneNAND“ gali būti naudojama ir kaip katalizatorius kuriant naujus produktus. Plačiai aptariamas tokio pritaikomumo pavyzdys – operatyviosios OneNAND atminties panaudojimas hibridiniuose kietuosiuose diskuose. Komercinį hibridinį HDD prototipą „Samsung“ jau pademonstravo MS vystytojų konferencijoje (WinHEC: Windows Hardware Engineering conference) Sietle gegužės mėnesį.