Скоро в обычных USB-дисках будет применяться новая технология элементов памяти, разработанная в Университете штата Аризона (ASU).

Центр прикладной наноионики (CANi) университета предложил новый способ хранения данных, который способен за несколько лет вытеснить из употребления флэш-память. Так называемые элементы с программируемой металлизацией (programmable metallization cell - PMC) раздвигают границы физических возможностей современной технологии хранения данных. Ученые утверждают, что РМС в 1000 раз эффективнее существующих элементов флэш-памяти и позволяют значительно увеличить емкость таких устройств, как USB-диски.

Физическим препятствием для дальнейшего уплотнения ячеек в элементах памяти является усиление тепловыделения при сближении атомов вещества. Технология РМС, разработанная ASU совместно с германским институтом Jülich Research Center, меняет способ взаимодействия заряженных частиц. Как поясняется в издании ASU Insight, вместо перемещения электронов между ионами вещества, как в традиционной электронике, наноионика манипулирует самими ионами. «Нам удалось поместить между электродами частицу размером с вирус, что приводит к изменению электрического сопротивления — а это как раз то, что нужно для запоминающих устройств», — рассказал ASU Insight директор CANi М. Козицкий.

Главное то, что новая технология может применяться с существующими процессами производства элементов памяти, так что стоимость ее освоения не будет заоблачной. «Используя доступные материалы, мы предложили способ производства такой памяти практически без дополнительных затрат — все, что нужно сделать, это немного изменить состав этих материалов», — утверждает Козицкий.

Не исключено, что изделия с новой технологией появятся довольно скоро. По оценкам Козицкого, первые коммерческие продукты можно будет выпустить за полтора года. Несколько производителей микросхем памяти, включая Micron Technology, уже проявили интерес к РМС. Samsung, Sony и IBM тоже заинтересовались этой технологией.