Недавно же специалисты IBM объявили о проведении суперкомпьютерного моделирования необходимого состава. Традиционно в затворе транзисторов микросхем используется диоксид кремния, однако с повышением плотности упаковки, обусловленным уменьшением топологического размера элемента, возрастает и утечка тока. Если заменить диоксид на какое-то вещество с более высокой диэлектрической проницаемостью, это позволило бы избавиться от упомянутого недостатка.

Как в Intel, так и в IBM предлагают вместо диоксида кремния использовать в затворе металлические составы. В IBM по результатам моделирования подобрали такой состав – диоксид гафния в смеси с кремнием. Процессоры с транзисторами нового типа в IBM планируют начать выпускать в 2008 году. Всего на суперкомпьютере Blue Gene с 4096 процессорами было обработано 50 различных сочетаний упомянутых веществ. Для каждого из них процесс имитации, предусматривавший моделирование взаимодействия индивидуальных частиц в 600 атомах, занял примерно по пять суток. В Intel между тем заявляют, что свои 45-нанометровые процессоры с транзисторами, имеющими металлический затвор с высокой диэлектрической проницаемостью, корпорация выпустит уже в этом году.