Отдельно в этом же направлении ведутся работы и компанией Samsung. По мнению разработчиков, переход в третье измерение позволит создать чипы флэш-памяти объёмом 1 Тбит. А пока приходится бороться с различными проблемами на пути объединения планарных структур в трёхмерные. К примеру, на данном этапе стирание данных, находящихся в ячейках второго слоя, занимает в 32 раза больше времени, чем для первого слоя. Да и ёмкость прототипа очень далека от той, к которой стремятся инженеры Samsung, – 32 Мбита.